[發(fā)明專利]用于將未使用的配置位掉電以將功率消耗降到最小的電路無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 00800136.7 | 申請日: | 2000-01-14 |
| 公開(公告)號: | CN1294709A | 公開(公告)日: | 2001-05-09 |
| 發(fā)明(設計)人: | 約瑟夫·W·特里斯;羅德尼·德雷克;艾戈爾·沃吉沃達 | 申請(專利權(quán))人: | 密克羅奇普技術(shù)公司 |
| 主分類號: | G06F13/00 | 分類號: | G06F13/00 |
| 代理公司: | 柳沈知識產(chǎn)權(quán)律師事務所 | 代理人: | 馬瑩 |
| 地址: | 美國亞*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 使用 配置 掉電 功率 消耗 降到 最小 電路 | ||
本發(fā)明一般涉及配置位(configuration?bit),更具體地說,涉及一種電路,其中可以將未使用的配置位掉電(power?down)以將功率消耗降到最小,而不必將未使用的配置位編程。
大多數(shù)處理器具有一個或多個外圍設備模塊。這些外圍設備模塊通常具有基本(primary)配置位。該基本配置位用于啟用/禁用(enable/disable)不同的外圍設備模塊。在很多情況下,外圍設備模塊還具有一個或多個輔助(secondary)配置位。這些輔助配置位用于“配置”(即校準)外圍設備模塊。輔助配置位用于微調(diào)在外圍設備模塊例如電阻、電流源和其它元件內(nèi)部的調(diào)節(jié)元件。在很多應用中,基本和輔助配置位是可編程的熔絲(fuse)例如EPROM和EEPROM熔絲。
配置位的一種局限性是當未將配置位編程時,它們可能吸入電流。通過對相應的啟用/禁用的配置位編程,禁用外圍設備模塊。當實現(xiàn)這一點時,不再需要用于校準外圍設備模塊的相應的配置位。然而,如果遺留未經(jīng)編程的,未經(jīng)編程的配置位則繼續(xù)吸入電流。
因此,存在一種需要即提供一種用于將配置位掉電的電路。該電路當相應的外圍設備模塊未使用時,會能使任何未使用的配置位掉電,以將功率消耗降到最小。該電路還能使未使用的配置位掉電,以將功率消耗降到最小,不必對未使用的配置位編程。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,本發(fā)明的目的是提供一種能將配置位掉電的電路。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種電路,當未使用相應的外圍設備模塊時,其能使未使用的配置位掉電,以將功率消耗降到最小。
本發(fā)明的再一個目的是提供一種電路,其能使未使用的配置位掉電以將功率消耗降到最小,不必對未使用的配置位編程。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,公開了一種用于將配置電路掉電的系統(tǒng)以將功率消耗降到最小。該系統(tǒng)具有至少一個用于配置外圍設備模塊的第一配置電路。一存儲部件連接到外圍設備模塊和至少一個第一配置電路。該存儲部件用于啟用和禁用外圍設備模塊。該存儲部件還用于當禁用該外圍設備模塊時,將該至少一個第一配置電路掉電,以將至少一個第一配置電路的功率消耗降到最小。在本發(fā)明的一個實施例中,該存儲部件是一第二配置電路。
由對在附圖中表示的本發(fā)明的優(yōu)選實施例的如下更具體的介紹,使本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點更明顯。
圖1是在先技術(shù)的外圍設備模塊和其相關(guān)的配置熔絲(configuration?fuse)的電路圖。
圖2是配置熔絲的詳細電路圖。
圖3是用于當未使用相關(guān)的外圍設備模塊時使未使用的配置熔絲掉電的電路的詳細電路圖。
參照圖1,該圖表示在先技術(shù)的系統(tǒng)10。系統(tǒng)10具有一外圍設備模塊12。外圍設備模塊12連接到存儲部件14。該存儲部件14產(chǎn)生一通過緩沖器18發(fā)送的輸出信號。存儲部件14的輸出信號用于啟用和禁用外圍設備模塊12。在圖1中所示的實施例中,該存儲部件14是可編程的熔絲。外圍設備模塊12還具有一個或多個校準位(calibration?bit)16。校準位16用于校準或微調(diào)外圍設備模塊12內(nèi)的調(diào)節(jié)元件。在圖1所示實施例中,校準位16也是可編程的熔絲。
通過對存儲部件14編程禁用外圍設備模塊12。當禁用外圍設備模塊12時,不再需要校準位16。然而,當遺留未編程的存儲部件14時,校準位16繼續(xù)吸入電流。
參照圖2,該圖表示配置熔絲20。當配置熔絲20的存儲單元22未編程時,存儲單元22的閾值電壓Vt低于門控電壓(即行選電壓)。因此,使存儲單元22中的晶體管22A導通電流。如果休眠(Sleep)信號24是待用性的(即Sleep=‘0’),NOR門26將輸出一低(電平)信號,因此,使晶體管30導通電流。NAND(與非)門28將輸出一高(電平)信號,因此,使晶體管32導通電流。RBIAS信號也為高(電平)。這就形成了一從晶體管30的源極通過RBIAS晶體管34和存儲單元22,并通過晶體管32的電流路徑。再次參照圖1,對用于啟用/禁用外圍設備模塊12的存儲部件14編程,不再需要相應的用于校準外圍設備模塊12的校準位16。然而,如果遺留未編程的存儲部件14時,校準位16繼續(xù)吸入電流。
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