[發(fā)明專利]低感母排的設計及制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 00126647.0 | 申請日: | 2000-10-26 |
| 公開(公告)號: | CN1351396A | 公開(公告)日: | 2002-05-29 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李小紅;忻力;榮智林;陳燕平;翁星方 | 申請(專利權)人: | 鐵道部株洲市電力機車研究所 |
| 主分類號: | H02B1/20 | 分類號: | H02B1/20;H01B5/02;H02M1/00 |
| 代理公司: | 株洲市長江專利事務所 | 代理人: | 王法男 |
| 地址: | 412000*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 低感母排 設計 制作方法 | ||
本發(fā)明涉及一種低感母排的設計及制作方法,屬逆變器輔件的制作方法類。
在中、大容量IGBT逆變器的工程設計中,合理排布母線、降低分布電感對于保護IGBT元件免遭受瞬態(tài)過壓擊穿非常重要。因此,尋求小于100nH低感母排的結構設計及制作方法已經成為IGBT逆變器主要電路設計的關鍵技術之一。現(xiàn)有的各種低感母排(Busbar)雖然能滿足IGBT逆變器主電路結構設計的基本要求,但也存在以下不足:
1、一些低感母排由于結構設計過于簡陋,因此僅能滿足低壓場合的使用,但當母排間工作電壓高于1500VDC時,則很難保障逆變器能長時間可靠工作。
2、一類低感母排雖然在設計上緊湊合理,外形也較美觀,但制作這些低感母排的方法往往比較復雜,不僅需要特別的加工模具,而且在高壓揚合使用時為保證它安裝到IGBT元件上能確保C、E兩極間有足夠長的爬電距離,往往不得不對低感母排的設計作大的改變,甚至降低低感母排的結構設計的基本原則:使正、負母排兩者形狀和面積相差較大。從而造成低感母排的分布電感增加,但因此而增加主電路設計的難度。
本發(fā)明的目的:旨在提供一種新的低感母排設計結構及制作方法,克服現(xiàn)有低感母排存在的上述缺陷,不僅結構緊湊,外觀美觀而且制作方便,同時又能滿足不同工作電壓工作場的要求。
上述發(fā)明目的通過下述技術方案來實現(xiàn):
這種低感母排由正銅排(2)、負銅排(3)、導電銅柱(5)及中間絕緣層(1)和外層絕緣層(4)組成,其特征在于:
A、所述的該母排由起定位作用的導電銅柱(5)將依序擱置的外層絕緣層(4)、正銅排(2)、中間絕緣層(1)、負銅排(3)、外層絕緣層(4)及半固化片(7)經疊置和熱壓而成的一多層疊置體。
B、所述導電銅柱(5)及正、負母排之間增設著絕緣塞塊(6);在每相鄰的兩層之間設有起粘接作用的半固化片(7)。
所述的外層絕緣層(4)上位于IGBT的C、E兩極區(qū)間的板體上設有能增加爬電距離的凹陷狀或凸起狀爬電結構。
所述的爬電結構是設于外層絕緣層(4)上C、E兩極區(qū)間板體上銑刻的小凹槽(8),并且該小凹槽的數(shù)量以2~5個為宜,其單個槽寬小于2mm。
所述的爬電結構是設于外層絕緣層(4)上C、E兩極區(qū)間板體上增設的一塊凸起狀爬電隔離板(9);并且可以在其上銑刻小凹槽(8)。
這種母排的具體制作方法如下:
1、下料,即根據(jù)上述技術方案,選擇適用的電解銅板或鋁板來下正、負母排料,用環(huán)氧板FR4來下中間絕緣層及外層絕緣層料;用帶有粘性的材料制作半固化片料;
2、根據(jù)設計方案對用于各個層位的上述各料進行鉆、銑、沖及折彎加工,既在每一層位上鉆出供導電銅柱定位或鉚接的專用孔,在外層絕緣層上銑刻出增大爬電距離的爬電結構;在正、負母排上沖出增設絕緣塞塊的空間;
3、鉚焊,即將導電銅柱與相配合的對應正、負母排進行鉚焊連接;
4、清洗電鍍,即對上述各層位構件分別進行清洗電鍍;
5、對位疊片,即按照依下而上的順序,將外層絕緣層、半固化片層、負銅排及絕緣塞塊、半固化片層、中間絕緣層、半固化片層、正銅排及絕緣塞塊、半固化片層、外層絕緣層分別疊置呈一同位疊置體;
6、進行熱壓成型處理,即在176℃的溫度下完成熱壓固化處理;
7、檢驗清理成為最終產品。
根據(jù)上述的設計方案及制作方法制作的這種逆變器用低感母排,不僅結構簡單緊湊,美觀,而且生產工藝也十分簡單明了,不用設計專門的工藝模具及夾具;同時還能十分有效的增加C、E兩極間的爬電距離,不僅適用低壓工作環(huán)境,也十分適用于1500VDC以上工作電壓環(huán)境。
以下給出實施本發(fā)明的三個實施例,并結合實施例進一步闡述本發(fā)明。
附圖1是適用于低壓狀態(tài)時的一種母排結構;
附圖2是圖1的AA向剖示圖;
附圖3為設有凹陷狀爬電結構的低感母排結構示意圖;
附圖4為附圖3的AA向剖示圖:
附圖5為設有凸起狀爬電結構的低感母排結構示意圖;
附圖6為附圖5的AA向剖示圖;
附圖7是對位疊片示意圖。
圖中:1.中間絕緣層,2.正銅排,3.負銅排,4.外層絕緣層,5.導電銅柱,6.絕緣塞塊,7.半固化片,8.小凹槽,9.爬電隔離板。
實施例1:
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