[發(fā)明專利]氫精制裝置無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 00118328.1 | 申請(qǐng)日： | 2000-06-09 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN1277144A | 公開(kāi)（公告）日： | 2000-12-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 田口青;富澤猛;鵜飼邦弘;前西晃;莊野敏之;北河浩一郎 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | C01B3/50 | 分類號(hào)： | C01B3/50;C01B3/58;B01J32/00 |
| 代理公司： | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人： | 章鳴玉 |
| 地址： | 日本國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 精制 裝置 | ||
1.一種氫精制裝置，所述裝置可從含有氫和一氧化碳的改性氣體中除去一氧化碳，其特征在于，具備將前述改性氣體導(dǎo)入反應(yīng)室的改性氣體供給部分，將氧混合入前述改性氣體中的氧供給部分，使混合了氧的改性氣體通過(guò)的第1催化劑層，以及使通過(guò)了前述第1催化劑層的氣體通過(guò)的第2催化劑層。
2.如權(quán)利要求1所述的氫精制裝置，其中，第1催化劑層的催化劑為選自Pt和Pd的至少1種，第2催化劑層的催化劑為選自Ru、Rh和Ni的至少1種。
3.如權(quán)利要求2所述的氫精制裝置，其中，第1催化劑層的催化劑還包含選自Al2O3和沸石的至少1種，第2催化劑層的催化劑還包含選自Al2O3、SiO2、SiO2-Al2O3、MgO、TiO2和沸石的至少1種。
4.如權(quán)利要求1所述的氫精制裝置，其中，第1催化劑層和第2催化劑層的至少一方由催化劑和具有負(fù)載催化劑的連通孔的發(fā)泡體基材或蜂窩狀基材構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求4所述的氫精制裝置，其中，前述基材由金屬或高傳熱性無(wú)機(jī)材料構(gòu)成。
6.如權(quán)利要求1所述的氫精制裝置，其中，第1催化劑層和第2催化劑層間設(shè)置了一定的空間。
7.如權(quán)利要求6所述的氫精制裝置，其中，在前述一定空間中設(shè)置了散熱裝置或冷卻裝置。
8.如權(quán)利要求1所述的氫精制裝置，其中，第1催化劑層由數(shù)層構(gòu)成，各層都具備用于供氧的氧供給部分。
9.如權(quán)利要求1所述的氫精制裝置，其中，第1催化劑層和第2催化劑層由具有一個(gè)連通孔的發(fā)泡體基材或蜂窩狀基材一體化構(gòu)成。
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