[發明專利]具有寬安全工作范圍的高速、高頻半導體器件無效
| 申請號： | 00109335.5 | 申請日： | 2000-05-29 |
| 公開（公告）號： | CN1326228A | 公開（公告）日： | 2001-12-12 |
| 發明（設計）人： | 陳慶豐 | 申請（專利權）人： | 北京普羅強生半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/70 | 分類號： | H01L29/70 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100029 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 安全 工作范圍 高速 高頻 半導體器件 | ||
【權利要求書】：
本發明是提供一種具有寬安全工作范圍的高速、高頻半導體器件，其特點在于：在基極(或射極)圖形形成時，通過對擴散屏蔽膜及硅基片的刻蝕，得到淺的擴散深度，有效控制擴散圖形周邊的特性曲線，用以緩和該部位的電流集中，使局部熱點分散，因淺的擴散深度，進而得到寬安全工作范圍的高速、高頻的半導體器件。
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