[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法和半導(dǎo)體裝置

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 00108976.5
• 申請(qǐng)日: 2000-05-24
• 公開（公告）號(hào): CN1282104A
• 公開（公告）日: 2001-01-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 國(guó)清辰也
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三菱電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/82
• 分類號(hào): H01L21/82;H01L21/8242;H01L21/336;H01L27/108
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 楊凱,葉愷東

1．一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，該方法是在第1導(dǎo)電型的半導(dǎo)體襯底的上層部中形成的第1區(qū)域和第2區(qū)域中分別形成第2導(dǎo)電型的第1和第2MOS晶體管的方法，其特征在于，具備下述步驟：

(a)在上述第1和第2區(qū)域中分別形成第2導(dǎo)電型的第1源／漏區(qū)對(duì)、位于上述第1源／漏區(qū)對(duì)間的第1導(dǎo)電型的溝道區(qū)和位于上述溝道區(qū)上的柵電極區(qū)的步驟；

(b)在上述第1和第2區(qū)域各自的柵電極區(qū)的側(cè)面上形成第1側(cè)壁的步驟；

(c)在整個(gè)面上形成層間絕緣膜，只在上述第1區(qū)域中貫通上述層間絕緣膜并形成槽以使上述第1側(cè)壁的側(cè)面露出的步驟；以及

(d)在包含上述槽內(nèi)部的上述第1側(cè)壁的側(cè)面上的整個(gè)面上形成了第2側(cè)壁形成用絕緣膜之后，通過除去上述槽內(nèi)部以外的上述第2側(cè)壁用絕緣膜在上述第1側(cè)壁的側(cè)面上形成第2側(cè)壁的步驟，

在上述第1區(qū)域中，利用上述第1和第2側(cè)壁、上述第1源／漏區(qū)對(duì)、上述溝道區(qū)和上述柵電極區(qū)構(gòu)成上述第1MOS晶體管，在上述第2區(qū)域中，利用上述第1側(cè)壁、上述第1源／漏區(qū)對(duì)、上述溝道區(qū)和上述柵電極區(qū)構(gòu)成上述第2MOS晶體管。

2．如權(quán)利要求1中所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，還具備：

(e)在上述步驟(c)之后且在上述步驟(d)之前執(zhí)行的、從上述槽導(dǎo)入第2導(dǎo)電型的雜質(zhì)、與上述第1源／漏區(qū)對(duì)分別相鄰接地形成第2導(dǎo)電型的第2源／漏區(qū)對(duì)的步驟。

3．如權(quán)利要求2中所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，還具備：

(f)在上述步驟(d)之后執(zhí)行的、以上述第2側(cè)壁作為掩模從上述槽導(dǎo)入第2導(dǎo)電型的雜質(zhì)、與上述第2源／漏區(qū)對(duì)分別相鄰接地形成第3源／漏區(qū)對(duì)的步驟。

4．如權(quán)利要求3中所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于：

上述第2和第3源／漏區(qū)對(duì)的至少一方，與上述第1源／漏區(qū)對(duì)相比，其形成深度較深。

5．如權(quán)利要求1至4的任一項(xiàng)中所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于：

上述第1區(qū)域包含半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元形成區(qū)，上述第2區(qū)域包含上述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的外圍電路形成區(qū)。

6．如權(quán)利要求5中所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于：

上述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器包含DRAM。

7．一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，該方法是在第1導(dǎo)電型的半導(dǎo)體襯底中形成第2導(dǎo)電型的MOS晶體管的方法，其特征在于，具備下述步驟：

(a)在上述半導(dǎo)體襯底的表面中形成第2導(dǎo)電型的源／漏區(qū)對(duì)、位于上述源／漏區(qū)對(duì)間的第1導(dǎo)電型的溝道區(qū)和位于上述溝道區(qū)上的柵電極區(qū)的步驟；

(b)在整個(gè)面上形成側(cè)壁用絕緣膜的步驟；

(c)在不露出上述半導(dǎo)體襯底的情況下，部分地除去上述柵電極區(qū)的一方側(cè)面一側(cè)的上述側(cè)壁用絕緣膜的步驟；以及

(d)對(duì)于上述側(cè)壁用絕緣膜進(jìn)行刻蝕處理、通過除去柵電極區(qū)側(cè)面以外的上述側(cè)壁用絕緣膜、利用殘存的上述側(cè)壁用絕緣膜在上述柵電極區(qū)的側(cè)面上形成側(cè)壁的步驟，將上述第1區(qū)域中的上述側(cè)壁的另一方側(cè)面一側(cè)的形成寬度形成得比上述一方側(cè)面一側(cè)的形成寬度寬，

利用上述側(cè)壁、上述源／漏區(qū)對(duì)、上述溝道區(qū)和上述柵電極區(qū)構(gòu)成上述MOS晶體管。

8．如權(quán)利要求7中所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，還具備：

(e)在上述步驟(d)之后執(zhí)行的、在上述半導(dǎo)體襯底上形成存儲(chǔ)單元電容器的步驟，上述存儲(chǔ)單元電容器的一方電極與上述MOS晶體管的上述源／漏區(qū)對(duì)中的上述另一方側(cè)面一側(cè)的源／漏區(qū)導(dǎo)電性地連接。

9．如權(quán)利要求8中所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于：

上述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器包含DRAM。

10．一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于：

具備：

具有存儲(chǔ)單元形成區(qū)和外圍電路形成區(qū)的第1導(dǎo)電型的半導(dǎo)體襯底；

在上述存儲(chǔ)單元形成區(qū)和外圍電路形成區(qū)中分別形成的第2導(dǎo)電型的第1和第2MOS晶體管；以及

在上述存儲(chǔ)單元形成區(qū)中形成的、一方電極與上述第1MOS晶體管的一方電極區(qū)導(dǎo)電性地連接的存儲(chǔ)單元電容器，

將在上述第1MOS晶體管的柵電極區(qū)的側(cè)面上被設(shè)置的側(cè)壁的形成寬度設(shè)定得比在上述第2MOS晶體管的柵電極區(qū)的側(cè)面上被設(shè)置的側(cè)壁的形成寬度寬。