[發明專利]有機EL元件

無效

• 申請號: 00108665.0
• 申請日: 2000-03-31
• 公開（公告）號: CN1269690A
• 公開（公告）日: 2000-10-11
• 發明（設計）人: 小堀勇;三橋悅央;荒井三千男
• 申請（專利權）人: TDK株式會社
• 主分類號: H05B33/00
• 分類號: H05B33/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 隗永良

1.一種有機EL元件，包括空穴注入電極、陰極、和在這些電極之間設置的一層或用至少兩種以上的有機材料形成的至少兩層以上的有機層，

所述有機層的至少一層具有發光功能，

在所述空穴注入電極和所述有機層之間有阻擋電子同時又運送空穴的高電阻的無機空穴注入層，

該高電阻的無機空穴注入層以硅和/或鍺的氧化物為主要成分，在該主要成分以(Si_1-xGe_x)O_y表示時，有

0≤x≤1

1.7≤y≤2.2

此外，其中還含有電阻率為1×10¹⁰Ω·cm以下的導電性氧化物。

2.如權利要求1的有機EL元件，所述高電阻空穴注入層中含有的導電性氧化物是In、Zn、Ru和V中的任一種以上的氧化物。

3.如權利要求1或2的有機EL元件，所述高電阻的空穴注入層的電阻率為1～1×10¹¹Ω·cm。

4.如權利要求1～3中任一項的有機EL元件，所述導電性氧化物的含量為0.5～30mol％。

5.如權利要求1～4中任一項的有機EL元件，所述高電阻的空穴注入層的膜厚為0.5～20nm。

6.如權利要求1～5中任一項的有機EL元件，在有機層和陰極之間還有高電阻的無機電子注入層，

該高電阻的無機電子注入層含有作為第一成分的功函數在4eV以下的從堿金屬元素、堿土金屬元素和鑭系元素中選擇的一種以上元素的氧化物，和

作為第二成分的功函數在3～5eV的一種以上的金屬，

并且，有阻擋空穴同時運送電子的導通路徑。

7.如權利要求6的有機EL元件，所述第二成分是從Zn、Sn、V、Ru、Sm和In中選擇的一種以上。

8.如權利要求6或7的有機EL元件，所述堿金屬元素為Li、Na、K、Rb、Cs和Fr中的一種以上，堿土金屬元素為Mg、Ca和Sr中的一種以上，鑭系元素為從La和Ce中選擇的一種以上。

9.如權利要求6～8中任一項的有機EL元件，所述高電阻的無機電子注入層含有相對于所有成分為0.2～40mol％的第二成分。

10.如權利要求6～9中任一項的有機EL元件，所述高電阻的無機電子注入層的膜厚為0.3～30nm。

11.如權利要求1～5中任一項的有機EL元件，在所述有機層和陰極之間有無機絕緣性電子注入輸送層，

該無機絕緣性電子注入輸送層含有作為其主要成分的從氧化鍶、氧化鎂、氧化鈣、氧化鋰、氧化銣、氧化鉀、氧化鈉、和氧化銫中選擇的一種或兩種以上的氧化物。

12.如權利要求11的有機EL元件，所述無機絕緣性電子注入輸送層的各組成成分相對于所有成分來說包括：

主成分：80～99mol％

穩定劑：1～20mol％。

13.如權利要求11或12的有機EL元件，所述無機絕緣性電子注入輸送層的膜厚為0.1～2nm。