[發明專利]在半導體器件制造中減小非均勻區影響的方法和設備

無效

• 申請號: 00108237.X
• 申請日: 2000-04-30
• 公開（公告）號: CN1280384A
• 公開（公告）日: 2001-01-17
• 發明（設計）人: S·舒爾澤;F·扎克
• 申請（專利權）人: 因芬尼昂技術北美公司;國際商業機器公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;G03F7/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 梁永,王忠忠

1．在圓形的半導體晶片上分步重復印制圖形的方法，包括對控制每個要印制圖形的曝光面積的模版進行調整，在鄰近晶片周邊區域印制圖形時在正常的圖形曝光區添加附加的無用曝光區，借以在以后的工序中改善非均勻區效應。

2．權利要求1的方法，其中添加的曝光區的圖形實質上與正常的曝光區的圖形相同。

3．權利要求1的方法，其中切割晶片時是均勻地切割的，因而在最終切成的小片中不包括附加的曝光區。

4．用在分步重復曝光機中的模版，包含主區和輔助區，前者用于在晶片上印制有用區的圖形，后者用于在晶片周邊區域通常無用的區域印制圖形。

5．按照權利要求4的模版，其中在無用區印制的圖形設計為用于補償后面的晶片工藝過程中的非均勻邊緣效應。

6．在集成電路制造中所用的分步重復印制圖形的方法，包含的一些工序對邊緣效應是敏感的，所說的方法包括在晶片上預計沒有所說的邊緣效應區域印制第一圖形，而在預計對所說的效應敏感的區域印制放大的圖形。