[發明專利]減少轉移器件泄漏的DRAM單元及其制造工藝

無效

• 申請號: 00106752.4
• 申請日: 2000-04-18
• 公開（公告）號: CN1283870A
• 公開（公告）日: 2001-02-14
• 發明（設計）人: 法里德·阿加西;查爾斯·海姆布里;赫伯特·霍;拉德西卡·斯里尼瓦桑
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司;英芬能技術北美公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 于靜

1．一種DRAM單元的轉移器件的制造工藝，DRAM單元具有電容器、閾值電壓以及截止電流，工藝包括以下步驟：

(a)形成具有源區、漏區、以及溝道區的硅襯底；以及

(b)將硼離子注入到硅襯底內，注入的步驟使溝道區的硼離子濃度最高，由此增加了DRAM單元的閾值電壓，并降低了截止電流。

2．根據權利要求1的工藝，其中電容器為溝槽電容器和疊層電容器中的一種。

3．根據權利要求1的工藝，其中DRAM單元有一個埋置帶，電容器為溝槽電容器，電容器通過埋置帶電連接到轉移器件。

4．根據權利要求1的工藝，還包括在步驟(b)之前在源區和漏區上形成掩模的步驟。

5．根據權利要求1的工藝，其中注入步驟包括以1KeV到20KeV的能量注入1×10¹²/cm²到10×10¹²/cm²的硼離子。

6．一種DRAM單元的轉移器件的制造工藝，DRAM單元具有電容器、配套電路、閾值電壓以及截止電流，轉移器件具有源區、漏區、柵極和溝道區，工藝包括以下步驟：

(a)形成具有源區和漏區的硅襯底；

(b)將硼離子注入到硅襯底內，在襯底中形成表面濃硼部分；

(c)在源區和漏區上形成犧牲層；以及

(d)從至少一部分源區和漏區中除去硼離子，由此溝道的硼離子濃度高于源區和漏區的硼離子濃度，由此增加了DRAM單元的閾值電壓，并降低了截止電流。

7．根據權利要求6的工藝，其中電容器為溝槽電容器和疊層電容器中的一種。

8．根據權利要求6的工藝，其中DRAM單元有一個埋置帶，電容器為溝槽電容器，電容器通過埋置帶電連接到轉移器件。

9．根據權利要求6的工藝，其中注入步驟包括以1KeV到20KeV的能量注入1×10¹²/cm²到10×10¹²/cm²的硼離子。

10．根據權利要求6的工藝，還包括在步驟(b)和(c)之間的襯底上形成柵極的步驟(b1)，柵極具有側壁。

11．根據權利要求10的工藝，在形成柵極的步驟(b1)和步驟(c)之間還包括以下步驟：

(ⅰ)在柵極側壁上形成氧化層；

(ⅱ)在氧化層上形成氮化物層；

(ⅲ)在配套電路上形成塊形掩模，在轉移器件上留出開口；以及

(ⅳ)除去氧化層的露出部分，露出襯底的露出部分。

12．根據權利要求6的工藝，其中步驟(d)包括硼離子從與源區和漏區相鄰的濃硼部分向外擴散到犧牲層內。

13．根據權利要求6的工藝，其中犧牲層為多晶硅。

14．根據權利要求6的工藝，其中犧牲層為氧化物。

15．根據權利要求12的工藝，其中在步驟(ⅱ)中通過快速熱氧化向外擴散硼離子。

16．一種DRAM單元，包括轉移器件、閾值電壓以及截止電流，其中轉移器件包括每個具有硼離子濃度的源區和漏區、柵極、以及與柵極相鄰設置并且硼離子濃度高于源區和漏區硼離子濃度的溝道，由此增加了DRAM單元的閾值電壓，并降低了截止電流。

17．根據權利要求16的DRAM單元，還包括電容器。

18．根據權利要求17的DRAM單元，其中電容器為溝槽電容器和疊層電容器中的一種。

19．根據權利要求16的DRAM單元，還包括電容器和埋置帶。

20．根據權利要求19的DRAM單元，其中電容器為溝槽電容器，電容器通過埋置帶電連接到轉移器件。