[發明專利]制造圓柱形電容器下電極的方法

無效

• 申請號: 00106196.8
• 申請日: 2000-04-30
• 公開（公告）號: CN1273435A
• 公開（公告）日: 2000-11-15
• 發明（設計）人: 廣田俊幸;竹田和浩
• 申請（專利權）人: 日本電氣株式會社
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/70;H01L27/10
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 穆德駿,方挺

1.一種制造用于半導體器件的圓柱形電容器下電極的方法，包括以下步驟：

在形成了半導體元件的半導體襯底上，形成層間絕緣膜；

在所述層間絕緣膜的預定區域中，開出一凹下部分，將該部分用作圓柱形電容器下電極的模具；

在包括所述凹下部分的內壁的所述層間絕緣膜上，在不改變凹下部分形狀的條件下，形成導電膜；

用正型光刻膠厚厚地涂敷所述導電膜，填充所述凹下部分；

曝光所述導電膜上的所述光刻膠，同時保留所述凹下部分內的所述光刻膠；

進行顯影，選擇性去除所述導電膜上的所述光刻膠，同時保留所述凹下部分中的所述光刻膠；

進行深腐蝕，其中利用腐蝕，選擇性去除所述層間絕緣膜上的所述導電膜，同時保留所述凹下部分內的所述導電膜；及

進行剝離，去除所述凹下部分內的所述光刻膠；其中

在所述曝光步驟中，至少在所述下電極形成區中，用相對于垂直于半導體襯底方向以傾斜成分為主的入射光進行曝光。

2.根據權利要求1的制造圓柱形電容器下電極的方法，其中，在所述曝光步驟中，相對于垂直于半導體襯底的方向的入射角在10度以內的光線，不超過晶片上整個入射光的50％。

3.根據權利要求1的制造圓柱形電容器下電極的方法，其中，在所述曝光步驟中，利用由相對于垂直于半導體襯底的方向的入射角不小于10度的光線構成的光進行曝光。

4.根據權利要求2的制造圓柱形電容器下電極的方法，其中，在所述曝光步驟中，利用以下機制曝光，即，在直線方向，用入射光掃描半導體襯底，與此同步，晶片在包括半導體襯底的平面內垂直于所述入射光的掃描方向移動。

5.根據權利要求1的制造圓柱形電容器下電極的方法，其中，在所述曝光步驟中，利用平行束，集中對半導體襯底上的所有半導體元件進行曝光。

6.根據權利要求5的制造圓柱形電容器下電極的方法，其中，在所述曝光步驟中，在半導體襯底旋轉的同時進行曝光。

7.根據權利要求2的制造圓柱形電容器下電極的方法，其中，在所述曝光步驟中，利用還原投影曝光系統進行曝光。

8.根據權利要求7的制造圓柱形電容器下電極的方法，其中，在所述曝光步驟中，所述還原投影曝光系統中的光學系統的條件是NA≥0.5，0.7≤σ≤1。

9.根據權利要求8的制造圓柱形電容器下電極的方法，其中，所述還原投影曝光系統中的光學系統具有限制入射光的入射角的濾光片。

10.一種制造半導體器件的方法，包括如權利要求1所述的制造方法作為其中的一個步驟。

11.半導體器件，其由如權利要求10所述的方法制造。