[發明專利]凹凸檢測傳感器、指紋對照裝置和個人判別裝置

無效

• 申請號: 00105331.0
• 申請日: 2000-03-31
• 公開（公告）號: CN1268719A
• 公開（公告）日: 2000-10-04
• 發明（設計）人: 橋戶隆一;浦壁隆浩;鈴木昭弘;巖田明彥
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: G06K9/00
• 分類號: G06K9/00;A61B5/117
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 于靜

1.一種凹凸檢測傳感器，其特征是：具備：

探測器件陣列，其構成為：把由探測電極和把在該探測電極附近的物體與上述探測電極之間形成的電容變換成電壓或電流的變換電路構成的探測器件，配置成縱N行×橫M列的陣列；

掃描線，沿著上述探測器件陣列的各列進行配置；

輸出線，沿著上述探測器件陣列的各行進行配置，

上述探測器件分別連接到上述掃描線和輸出線上。

2、權利要求1所述的凹凸檢測傳感器，其特征是：上述變換電路由一個MOS晶體管構成，該MOS晶體管的柵極電極在上述感測電極上，上述MOS晶體管的漏極電極和源極電極之內的一方的電極和另一方的電極分別連接到上述掃描線和上述輸出線上。

3、權利要求2所述的凹凸檢測傳感器，其特征是：把上述MOS晶體管作成為無定形硅制造的MOS晶體管或多晶硅制造的MOS晶體管。

4、權利要求2所述的凹凸檢測傳感器，其特征是：在連接上述MOS晶體管和輸出線的布線上設置二極管，使得從上述MOS晶體管的端子朝向上述輸出線的方向變成為正向。

5、權利要求2所述的凹凸檢測傳感器，其特征是：在連接上述MOS晶體管和輸出線的布線上，設置與上述晶體管不同的另一MOS晶體管，使得從上述MOS晶體管的端子朝向上述輸出線的方向變成為正向。

6、權利要求1～5中的任何一項所述的凹凸檢測傳感器，其特征是：還具備沿著上述探測器件陣列的各列配置的復位線，上述探測器件，具有一端連接到上述探測電極和上述變換電路之間的連接點上，另一端連接到上述復位線上的開關。

7、權利要求6所述的凹凸檢測傳感器，其特征是：還具備沿著上述探測器件陣列的各列配置的控制線，上述開關是具有控制端子的3端器件，并把該控制端子連接到控制線上。

8、權利要求6所述的凹凸檢測傳感器，其特征是：上述開關是2端子的二極管，或使柵極電極和漏極電極短路后變成為二極管連接的MOS晶體管。

9、權利要求6所述的凹凸檢測傳感器，其特征是：由在列方向上相鄰地排列的探測器件共用上述復位線。

10、權利要求1～5中的任何一項所述的凹凸檢測傳感器，其特征是：上述探測器件還分別具備二極管，該二極管由2端子的二極管或使柵極電極和漏極電極短路后變成為二極管連接的MOS晶體管構成，使該二極管的一端連接到上述探測電極與上述變換電路之間的連接點上，使上述二極管的另一端連接到上述掃描線上，并把上述二極管連接為在該掃描線上加有掃描信號的時候變成為截止的方向。

11.權利要求1～5中的任何一項所述的凹凸檢測傳感器，其特征是：在上述探測電極上邊淀積電介質。

12.權利要求1～5中的任何一項所述的凹凸檢測傳感器，其特征是：在電介質基板上邊形成上述探測器件和處理來自該探測器件的數據的處理電路。

13.權利要求1～5中的任何一項所述的凹凸檢測傳感器，其特征是：在與變換電路和布線不同的層上形成上述探測電極，且把上述探測電極配置在與物體接近的一側。

14.一種對至少一個人的被識別的指紋進行互相對照的指紋對照裝置，該裝置具備凹凸檢測傳感器，其特征是：該凹凸檢測傳感器具備：

探測器件陣列，其構成為：把由探測電極和在該探測電極附近的物體與上述探測電極之間形成的電容變換成電壓或電流的變換電路構成的探測器件，配置成縱N行×橫M列的陣列；

掃描線，沿著上述探測器件陣列的各列進行配置；

輸出線，沿著上述探測器件陣列的各行進行配置，

上述探測器件分別連接到上述掃描線和輸出線上。

15.一種個人判別裝置，具備具有凹凸檢測傳感器的指紋對照裝置，其特征是：該凹凸檢測傳感器具備：

探測器件陣列，其構成為：把由探測電極和在該探測電極附近的物體與上述探測電極之間形成的電容變換成電壓或電流的變換電路構成的探測器件，配置成縱N行×橫M列的陣列；

掃描線，沿著上述探測器件陣列的各列進行配置；

輸出線，沿著上述探測器件陣列的各行進行配置，

上述探測器件分別連接到上述掃描線和輸出線上。