[發(fā)明專利]MIS半導(dǎo)體器件的制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 00103895.8 | 申請日： | 1994-01-18 |
| 公開（公告）號： | CN1362726A | 公開（公告）日： | 2002-08-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 山崎舜平;竹村保彥 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社半導(dǎo)體能源研究所 |
| 主分類號： | H01L21/20 | 分類號： | H01L21/20;H01L21/324;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 張志醒 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | mis 半導(dǎo)體器件 制造 方法 | ||
1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括下列步驟：
在基片上形成半導(dǎo)體層；
用激光照射所述半導(dǎo)體層使其晶化，
其中所述激光為Nd激光器的第二諧波激光。
2.按照權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述基片為玻璃基片。
3.按照權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體層包括選自硅、硅鍺合金、碳化硅、鍺、硒化鎘、硫化鎘、砷化鎵一組中的一種材料。
4.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括下列步驟：
在基片上形成半導(dǎo)體層；
用激光照射所述半導(dǎo)體層使其晶化，
其中所述激光為包括含有作為振蕩源的晶體的Nd的激光器的第二諧波激光。
5.按照權(quán)利要求4的方法，其特征在于，所述基片為玻璃基片。
6.按照權(quán)利要求4的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體層包括選自硅、硅鍺合金、碳化硅、鍺、硒化鎘、硫化鎘、砷化鎵一組中的一種材料。
7.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括下列步驟：
在基片上形成半導(dǎo)體層；
用激光照射所述半導(dǎo)體層使其晶化，
其中所述激光為Nd∶YAG激光器的第二諧波激光。
8.按照權(quán)利要求7的方法，其特征在于，所述基片為玻璃基片。
9.按照權(quán)利要求7的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體層包括選自硅、硅鍺合金、碳化硅、鍺、硒化鎘、硫化鎘、砷化鎵一組中的一種材料。
10.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括下列步驟：
在基片上形成半導(dǎo)體層；
使所述半導(dǎo)體層晶化；
在所述半導(dǎo)體層上制出至少一個半導(dǎo)體島的圖案；
在所述半導(dǎo)體島部分引入雜質(zhì)離子；
照射激光使所述半導(dǎo)體島部分中引入的雜質(zhì)離子激活，
其中所述激光為Nd激光器的第二諧波激光。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其特征在于，所述雜質(zhì)為磷。
12.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體層包括非晶硅。
13.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其特征在于，還包括在所述半導(dǎo)體島上形成柵電極的步驟。
14.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其特征在于，所述Nd激光器為Nd∶YAG激光器。
15.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括下列步驟：
在絕緣表面上形成半導(dǎo)體層；
用脈沖激光照射所述半導(dǎo)體層使其晶化，
其中所述激光為Nd激光器的第二諧波激光。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體層包括非晶硅。
17.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體層形成為島狀。
18.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其特征在于，所述Nd激光器為Nd∶YAG激光器。
19.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括下列步驟：
在絕緣表面上形成摻雜有選自磷和硼一組中一種雜質(zhì)的半導(dǎo)體層；
用脈沖激光照射所述半導(dǎo)體層，
其中所述激光為Nd激光器的第二諧波激光。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體層包括非晶硅。
21.根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體層形成為島狀。
22.根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其特征在于，所述Nd激光器為Nd∶YAG激光器。
23.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括下列步驟：
在絕緣表面上形成半導(dǎo)體層；
選擇性地引入雜質(zhì)離子到所述半導(dǎo)體層中，以在該半導(dǎo)體層中形成摻雜區(qū)；
用脈沖激光照射所述半導(dǎo)體層，以對所述摻雜區(qū)進行退火，
其中所述激光為Nd激光器的第二諧波激光。
24.根據(jù)權(quán)利要求23的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體層包括非晶硅。
25.根據(jù)權(quán)利要求23的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體層形成為島狀。
26.根據(jù)權(quán)利要求23的方法，其特征在于，所述Nd激光器為Nd∶YAG激光器。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
