[發(fā)明專利]在單晶基板上形成第三族氮化物外延層方法、制品及設(shè)備無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 00103786.2 | 申請(qǐng)日： | 2000-03-10 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN1313412A | 公開（公告）日： | 2001-09-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 龔志榮 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 廣鎵光電股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C30B25/02 | 分類號(hào)： | C30B25/02;C23C16/34 |
| 代理公司： | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人： | 張政權(quán) |
| 地址： | 中國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 單晶基板上 形成 第三 氮化物 外延 方法 制品 設(shè)備 | ||
1．一種在單晶基板上形成第三族氮化物外延層的方法，其特征在于：
主要步驟如下：
a．清洗單晶基板并吹干；
b．將單晶基板置于一外延裝置中；
c．以適當(dāng)?shù)臏囟燃訜釂尉Щ澹?/p>
d．以適當(dāng)?shù)牧魉伲瑢⒑谌逶氐挠袡C(jī)金屬先質(zhì)及含氮?dú)怏w輪流提供給單晶基板表面上，發(fā)生兩階段反應(yīng)以形成外延層。
2．根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：
單晶基板選自如下構(gòu)成的組：Al2O3(藍(lán)寶石)、Si、Ge、GaAs、GaP及SiC晶片。
3．根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于：
單晶基板為硅晶片。
4．根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：
含氮?dú)怏w為氨氣。
5．根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：
有機(jī)金屬先質(zhì)所含的第三族元素為Al、Ga、In。
6．根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：
外延層可作為光電子元件的緩沖層。
7．一種使用EGAS技術(shù)以制造多層的方法，其特征在于：
包括以下步驟：
a．清洗單晶基板并吹干；
b．將單晶基板置于一外延裝置中；
c．以適當(dāng)?shù)臏囟燃訜釂尉Щ澹?/p>
d．以適當(dāng)?shù)牧魉伲瑢⒑谌逶氐挠袡C(jī)金屬先質(zhì)及含氮?dú)怏w輪流提供給單晶基板表面上，發(fā)生兩階段反應(yīng)；以及
e．重復(fù)步驟d，但使用含另一種第三族元素的有機(jī)金屬先質(zhì)。
8．根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于：
單晶基板選自以下的組：Al2O3(藍(lán)寶石)、Si、Ge、GaAs、GaP及SiC晶片。
9．根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于：
單晶基板為硅晶片。
10．根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于：
含氮?dú)怏w為氨氣。
11．根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于：
步驟d的有機(jī)金屬先質(zhì)所含的第三族元素為Ga、Al、In而形成GaN、AlN、InN外延層，及其合金氮化物AlGaInN。
12．根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于：
步驟e所用的有機(jī)金屬先質(zhì)所含的第三族元素為Ga，而形成GaN外延層。
13．根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于：
所制成的多層為GaN/AlN/Si。
14．根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于：
所制成的多層為GaN/AlN/Al2O3(藍(lán)寶石)。
15．根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于：
所制成的多層為GaN/AlN/SiC(晶片)。
16．如權(quán)利要求13項(xiàng)所述的方法，其特征在于：
GaN層可為p-摻雜/n-摻雜及未摻雜。
17．如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于：
用于p-摻雜的元素為Zn或Mg，且其濃度為1016-1018cm-3。
18．如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于：
用于n-摻雜的元素為Si，且其濃度為1017-1019cm-3。
19．根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于：
多重可用于制造多重量子阱、發(fā)光二極管、激光二極管、光感知元件及高功率高溫型晶體管。
20．一種用于制造光電子元件的多層的裝置，其特征在于：
主要包括：一具有多個(gè)開口(17、18、19)的可旋轉(zhuǎn)的組合式反應(yīng)基座(20)及數(shù)個(gè)供料管(12、14、16)；該可旋轉(zhuǎn)的組合式反應(yīng)基座(20)包括一中空支撐軸(29)，一設(shè)于中空支撐軸(29)內(nèi)并伸出支撐軸(29)末端的旋轉(zhuǎn)軸(290)，一固設(shè)在支撐軸29上的多瓣石墨基座(26)，一位在石墨基座(26)上方而固設(shè)在支撐軸(29)上的多瓣石墨頂蓋板(24)，使頂蓋板(24)的每一瓣相對(duì)應(yīng)于各石墨基座(26)的每一瓣而形成一個(gè)具有多個(gè)室(27)的遮罩，并于各瓣之間形成該開口(17、18、19)，一在石墨基座(26)及石墨頂蓋板(24)間固設(shè)于旋轉(zhuǎn)軸(290)上的用于承載基板的石墨旋轉(zhuǎn)板(28)，使石墨旋轉(zhuǎn)板(28)可容納在室(27)內(nèi)、并在轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)于開口(17、18、19)露出。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于廣鎵光電股份有限公司，未經(jīng)廣鎵光電股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/00103786.2/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
