[發明專利]微熔接及微組立加工制造方法

無效

• 申請號: 00103590.8
• 申請日: 2000-03-31
• 公開（公告）號: CN1315236A
• 公開（公告）日: 2001-10-03
• 發明（設計）人: 郭佳儱;方仁宇;吳英正;鄭俊誠
• 申請（專利權）人: 微邦科技股份有限公司
• 主分類號: B23K26/00
• 分類號: B23K26/00
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉領弟

本發明屬于微型零件熔接及組立方法，特別是一種微熔接及微組立加工制造方法。

習知的一些相關設備或制造方法，例如，公開的‘雷射熔接方法及裝置’、‘多功能微放電加工設備’及‘放電加工機之放電狀態檢測裝置’等，其在作法上具有許多缺點，例如，缺少設備整合技術，以致微放電制程中雖然能夠加工出高精度的微小零組件，但在制造過程中，所需的加工時間過長，而且組裝時的夾持、裝卸及接合十分困難，并不適合應用于大量生產的技術中，大部分的制程技術皆需要通過模具加工的協助來完成，而且必須藉助微射出成型技術，然而所使用的模具更要求相當高復雜性及高精密性，以致不太適合于各種形狀的小元件組合及成型。

本發明的目的是提供一種產品精度高、生產速度快、適用于大批量生產的各種形狀小元件組合及成型的微熔接及微組立加工制造方法。

本發明包括如下步驟：

(1)用修整線修整電極端面，并將電極修整到所需直徑；

(2)用電極以放電加工方式于底板上作出貫穿孔；

(3)再次用修整線修整因鉆孔而損耗的電極端面；

(4)用修整線于電極適當位置修整出一道頸口；

(5)將電極移動穿過貫穿孔停于適當位置；

(6)調整三軸雷射位置進行雷射三點微熔接該電極與底板；

(7)轉動主軸使電極于直徑較細的頸口部分扭斷；

(8)再以修整線修整剩余電極的端面；

(9)用電極以微放電加工修平熔接平面。

其中：

雷射熔接系采用陣列式，并從電極背面進行。

雷射熔接為單一電極熔接時，應于電極尚未扭斷前進行雷射熔接。

雷射熔接為單一電極熔接時，三軸雷射同時使用，并且均勻分布于電極背面，確保熔池呈60°均勻分布。

熔池深度應滿足電極與底板有效地接合。

雷射熔接為多極熔接時，貫穿孔加工與電極熔接應間隔進行。

單一電極熔接完成并扭斷后，以微放電加工修平底板背面。

扭斷電極時所需的頸口直徑不可大于前端所修的電極直徑。

頸口最低位置不低于雷射熔接時會被熔融的高度，最高位置不高于影響修平底板的高度。

扭斷電極的方式系采用便于找出允許最大頸口直徑的主軸旋轉直接扭斷方式。

陣列式雷射微熔接更換電極后，可進行一次程式原點的重新定位。

陣列式雷射熔接時，應于電極尚未扭斷前進行雷射熔接。

被加工的電極作設置定位面的微改變，再以微放電穿入貫穿孔。

雷射微熔接部分采用淺層熔接。

修整線為黃銅線、鎢線或鉬線。

一種微熔接及微組立加工制造方法，它包括如下步驟：

(1)用修整線修整電極端面，并將電極修整到所需直徑；

(2)用電極以放電加工方式于底板上作出貫穿孔；

(3)再次用修整線修整因鉆孔而損耗的電極端面；

(4)用修整線于電極適當位置修整出一道頸口；

(5)將電極移動穿過貫穿孔停于適當位置；

(6)精確使用瞬間接著劑，將膠適度加于電極背面適當位置；

(7)轉動主軸使電極于直徑較細的頸口部分扭斷；

(8)將工件底板移到雷射微熔接設備，并調整三軸雷射位置進行雷射三點微熔接該電極與底板；

(9)再以修整線修整剩余電極的端面；

(10)用電極以微放電加工修平熔接平面。

雷射熔接系采用陣列式，并從電極背面進行。

雷射熔接為單一電極熔接時，應于電極尚未扭斷前進行雷射熔接。

雷射熔接為單一電極熔接時，三軸雷射同時使用，并且均勻分布于電極背面，確保熔池呈60°均勻分布。

熔池深度應滿足電極與底板有效地接合。

雷射熔接為多極熔接時，貫穿孔加工與電極熔接應間隔進行。

單一電極熔接完成并扭斷后，以微放電加工修平底板背面。

扭斷電極時所需的頸口直徑不可大于前端所修的電極直徑。

頸口最低位置不低于雷射熔接時會被熔融的高度，最高位置不高于影響修平底板的高度。

扭斷電極的方式系采用便于找出允許最大頸口直徑的主軸旋轉直接扭斷方式。

陣列式雷射微熔接更換電極后，可進行一次程式原點的重新定位。

陣列式雷射熔接時，應于電極尚未扭斷前進行雷射熔接。

被加工的電極作設置定位面的微改變，再以微放電穿入貫穿孔。

雷射微熔接部分采用淺層熔接。

修整線為黃銅線、鎢線或鉬線。

一種微熔接及微組立加工制造方法，它包括如下步驟：