[發明專利]一種在硅基片上生長單一取向的鋯鈦酸鉛薄膜的方法無效
| 申請號： | 00100116.7 | 申請日： | 2000-01-11 |
| 公開（公告）號： | CN1120897C | 公開（公告）日： | 2003-09-10 |
| 發明（設計）人： | 趙柏儒;林媛;彭海兵;郝昭;許波 | 申請（專利權）人： | 中國科學院物理研究所 |
| 主分類號： | C23C14/08 | 分類號： | C23C14/08;C23C14/28 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 1000*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 硅基片上 生長 單一 取向 鋯鈦酸鉛 薄膜 方法 | ||
【說明書】：
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