[發(fā)明專利]一種在硅基片上生長單一取向的鋯鈦酸鉛薄膜的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 00100116.7 | 申請日： | 2000-01-11 |
| 公開（公告）號： | CN1120897C | 公開（公告）日： | 2003-09-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 趙柏儒;林媛;彭海兵;郝昭;許波 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院物理研究所 |
| 主分類號： | C23C14/08 | 分類號： | C23C14/08;C23C14/28 |
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| 地址： | 1000*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 硅基片上 生長 單一 取向 鋯鈦酸鉛 薄膜 方法 | ||
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C23 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
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C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
