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主分類

分類號	描述

C	化學；冶金

C30	晶體生長		查看

C30B	單晶生長		查看

	C30B1-00	直接自固體的單晶生長	查看

	C30B3-00	共析材料的定向分層	查看

	C30B5-00	凝膠的單晶生長	查看

	C30B7-00	常溫液態溶劑之溶液，例如水溶液的單晶生長	查看

	C30B9-00	使用熔融態溶劑之熔體的單晶生長	查看

	C30B11-00	正常凝固法或溫度梯度凝固法的單晶生長，例如晶體生長坩堝下降法Bridgman-Stockbarger法	查看

	C30B13-00	區域熔融法單晶生長；區域熔融法精煉	查看

	C30B15-00	熔融液提拉法的單晶生長，例如Czochralski法	查看

	C30B17-00	生長期間籽晶保留在熔融液中的單晶生長，例如Necken-Kyropoulos法	查看

	C30B19-00	液相外延層生長	查看

	C30B21-00	共晶材料的定向凝固	查看

	C30B23-00	冷凝氣化物或材料揮發法的單晶生長	查看

	C30B25-00	反應氣體化學反應法的單晶生長，例如化學氣相沉積生長	查看

	C30B27-00	保護流體下的單晶生長	查看

	C30B28-00	制備具有一定結構的均勻多晶材料	查看

	C30B29-00	以材料或形狀為特征的單晶或具有一定結構的均勻多晶材料	查看

	C30B30-00	利用電場、磁場、波能或其他特定物理條件的作用為特征來制備單晶或具有一定結構的均勻多晶材料	查看

	C30B31-00	單晶或具有一定結構的均勻多晶材料之擴散或摻雜工藝；其所用裝置	查看

	C30B33-00	單晶或具有一定結構的均勻多晶材料的后處理	查看

	C30B35-00	未包括在其他分類位置中的專門適用于單晶或具有一定結構的均勻多晶材料的生長、制備或后處理的一般裝置	查看

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